激光辅助键合

数十年来，Mergenthaler 一直是激光辅助 bonding 领域中备受赞誉的激光系统及组件供应商。

在激光辅助键合工艺中，针对小型零部件的单独加工，其优势在于激光能量仅产生微弱且局限于局部区域的热影响。在热电偶监测下，快速的升温速率可防止表面氧化，并缩短单个零部件的生产周期。 即使在完全布满元件的基板上，每个元件也能单独进行加工，而不会影响相邻元件。由于热负荷较低，基板的热膨胀可忽略不计，从而提高了元件的定位精度。
诸如芯片贴装基板（CoS）、芯片对芯片（CoC）、芯片贴装晶圆（C2W）等已知的封装工艺均可通过激光辅助键合（LAB）实现。

Mergenthaler的激光组件还用于光子器件的封装，例如激光-光纤耦合、一般光学器件封装、芯片键合、倒装芯片键合或共晶键合 （激光钎焊）。此外，还可进行激光干燥。

根据基板的类型，该工艺可通过两种不同方式进行。如果基板是透光的，则直接熔化焊料；如果基板是吸光的，则从底部对其加热，热量通过基板传导至焊料。

如果基板是硅片，其吸收情况取决于激光的波长。如果了解硅片的谱透射曲线并选择合适的激光波长，就可以实现不同的效果。 热量可被基板底部、基板内部或基板顶部吸收。
下图展示了纯硅的吸收深度与波长之间的关系。

• 对于808nm的激光波长，吸收深度约为0.01mm。
• 对于975nm的激光波长，吸收深度约为0.1mm。
• 对于1064nm-1080nm的激光波长，吸收深度约为1mm。

所谓吸收深度，是指激光功率仍保持初始强度的37%时所经过的距离。

如果硅片经过掺杂处理，其吸收特性可能会发生变化，此时应测量其光谱透射率。

如果基板经过金属化处理，则应考虑使用蓝光波长（450nm）的激光器进行加热。
在此情况下，蓝光比近红外（NIR）半导体激光器的光被吸收得明显更好。
如果金属化层由金构成，则蓝光激光器是唯一合理的选择。
MERGENTHALER 提供高亮度蓝光激光器，激光功率高达 100W，采用 200µm 光纤，且为风冷式！

欢迎与我们的工程师团队探讨您的构想，并受益于我们在激光技术领域30余年的丰富经验。